12月25日消息，芯智讯报道称，台积电（南京）总经理罗镇球，在主题演讲中提到，其3nm工艺将在2022年如期推出。不仅如此，台积电在2nm工艺上的研发也进展顺利。
对于工艺制程来说，最关键的指标无外乎单位面积内的晶体管数量、性能和功耗。
根据台积电官方所展示的路线图，与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管逻辑密度可以提升1.7倍，性能有11%的提升。而在同等性能下，3nm工艺的功耗比5nm降低25%-30%。
就台积电披露的数据来看，3nm工艺制程的芯片将拥有比5nm芯片更强的综合实力。
需要注意的是，台积电作为全球第一大晶圆代工厂，并非只做到了技术领先，它的良品率、产能等，在业内也向来处于领先地位。
因此，虽然目前台积电3nm工艺还未实现大规模量产，但已经有部分客户提前预定了这一先进制程工艺的产能。
众所周知，苹果公司一直都是台积电的第一大客户，并且在台积电处享有“VIP待遇”，因此，苹果优先获得先进制程工艺的产能几乎是板上钉钉。
不过，从媒体的报道中可以窥得，苹果虽然会优先获得台积电3nm工艺的产能，但却并不是独享。
TechWeb在12月25日报道，有国外媒体称，在3nm工艺上，英特尔也将享有优先获得的待遇，或许会与苹果平分台积电3nm的首波产能。
虽说由英特尔和苹果评分3nm工艺的手波产能，很有可能影响苹果这一代代工的芯片产量，但对于台积电来说，在3nm芯片上保持两家厂商的订单，可以降低流片成本。
另外，台积电3nm工艺频频传来好消息，也意味着三星超车台积电的希望越来越渺茫。众所周知，在芯片行业，三星一直是台积电最大的竞争对手，在7nm、5nm工艺上双方就你追我赶。
如今，三星更是希望通过3nm工艺掌握在先进制程领域的话语权，为此三星还激进的采用了GAA晶体管技术。
从理论上来说，三星所采用的GAA环绕栅极晶体管，对比台积电所采用的FinFET晶体管技术的确更有优势。但今年以来，网络上频频传来三星3nm的“坏消息”。
《电子时报》曾报道，GAA FET技术并不成熟，三星目前不仅不能确保它的良品率，还面临很多技术难题，如漏电、性能提升不达标、制程排版布局不合理等。相比之下，台积电对3nm技术明显更游刃有余。
而且，结合之前的案例来看，台积电先进制程的实际工艺量产时间，要早于计划时间。
反观三星，同花顺财经在一篇报道中曾指出，有消息称三星的3nm工艺芯片量产时间并不早于台积电，甚至会比台积电更晚。
虽然外媒DIGITIMES曾爆料，三星或拿下了AMD和高通这两个大客户，成为其3nm工艺的首批客户，但就目前的情况来看，三星想要超车台积电，仍然希望渺茫。
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