5年实现70%自给率？国产芯片何时突破，国外的数据已经揭晓答案了

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今天跟大家聊一聊：5年实现70%自给率？国产芯片何时突破，国外的数据已经揭晓答案了。

为了鼓励国产半导体企业的发展，国家不仅投放了大量的研发资金，还制定了一个硬性的指标，那就是要在五年内实现芯片70%的自己率，而这个目标是在去年的时候提出的，也就意味着70%的自给率要在2025年之前完成。

而针对这样的目标，国外对国内的多家半导体企业进行了剖析，最终他们给出的结论是极其不看好我们的，经过他们评估得出，即使到了2024年国内的自给率也仅能达到10%，难道还没开始发力，就已经要结束了吗？他这份数据是否真实呢？

海外的数据是否真实

经过对于这些数据的追踪，我们也找到了一个较为全面的预测，这份数据来自权威机构IC Insights，其显示到了2025年国内能够实现的自给率仅为19%，如果扣除国内的台积电以及三星等等代工厂，那么这个数据直接下降到10%，也就意味着我们兜兜转转，一整圈都白忙活了。

而这样的数据也被国人一致否决了，认为他们完全是在看衰中国半导体的发展，其目的性并不单纯，而且这样的数据只是源于对于国内二十余家半导体企业的调查，而其中也仅仅只有七家给予了回复，因此这样的数据并不具备准确性。

而此前很多机构都表态：“限制中国半导体的发展，将会加速中国自主化的进程，美国的先进技术将不再珍贵。”而荷兰ASML的创始人也称表态：“美国对中国半导体的限制行为，只会加速其技术革新，届时所有的非中国企业将被排除出全球最大的半导体市场之外。”

很多人对于海外给出的数据都非常不服，认为他们完全是在夸大、诱导，从而打击到我们的自信心，当然我们也没必要去相信这样的数据，那么结合目前国内芯片企业的实际情况，究竟和这份数据有多大的出路呢？

国内半导体行业的实际情况

我们先从制造芯片最为关键的设备上进行分析，其中表现最为突出的就是由尹志尧创办的中微半导体，目前在刻蚀机的精度上已经达到了5纳米，也顺利进入到了台积电的生产线当中，而在国产光刻机的研发上，上海微电子已经能够实现对于90纳米光刻机的国产化组装，还有很多优秀的企业也都能提供相应的设备。

目前国内已经有能力实现对于14纳米芯片的量产，对于7纳米芯片的相关技术也有所突破了，然而三星以及台积电已经相继突破了3纳米的技术，美国的IBM甚至发布了2nm的芯片制造技术，初步估计在先进制程工艺上，我们已经落后三代的水平了，大概需要5~10年才能够赶上。

而国内的院士吴汉明此前也提出，目前困扰我们的问题主要有两个，分别是限制的封锁以及技术的壁垒，这两个都是基于基础实力建立起来的，由于基础实力的薄弱，我们目前也在想方设法解决这样的困境。

意味着先进的制程工艺固然重要，但成熟的工艺更符合目前市场需求，14nm及以上的芯片已经能够满足市面上超90%的需求了，因此对于目前国内的芯片企业来说，扩产成熟的工艺，适时占据更多的市场份额才是最重要的，只有有了稳固的基础，才能更好的投身到先进制程工艺的研发当中。

如今全球正面临全面的缺芯状态，这恰巧对于国内的半导体发展来说，是一个千载难逢的机遇，全球芯片产能的极度空缺，很多产能将逐渐分散到各个有能力生产芯片的代工厂上，而对于最为紧缺的28nm工艺芯片，目前国内也有不少代工厂有能力制造生产，在之后两年内的利润是可以得到很好的保障的。

稳定成熟工艺之后，打好了基础也有利于先进的制程工艺研发，目前我们要做的就是明确自己的目标，充分利用好自己的长处，尽全力去弥补自己的短处，最终市场会给予我们答案的，不必太在乎别人的看法，坚持自主创新，对此你们有什么看法呢？